Στόχοι διασκορπισμού οξειδίου του ψευδαργύρου αλουμινίου

Στόχοι διασκορπισμού οξειδίου του ψευδαργύρου αλουμινίου Με την ανάπτυξη διαφανών αγώγιμων μεμβρανών, οι στόχοι AZO (Al2O3-ZnO), οι οποίοι μπορούν να αντικαταστήσουν το ITO, έχουν χρησιμοποιηθεί ευρέως. Το διαφανές αγώγιμο φιλμ AZO έχει διάκενο ζώνης 3,4 eV και εγγενές όριο απορρόφησης 360 nm, το οποίο μπορεί να χρησιμοποιηθεί ως υλικό στρώματος παραθύρου για μπαταρίες λεπτής-μεμβράνης. Το χαρακτηριστικό διάκενου ευρείας ζώνης του μπορεί να μειώσει την απορρόφηση του φωτός κατά περιοχές ντοπαρισμένου τύπου p, n-και να βελτιώσει τον ρυθμό χρήσης της φωτεινής ενέργειας. Ταυτόχρονα, η διαφανής αγώγιμη μεμβράνη AZO έχει χαμηλή ειδική αντίσταση και υψηλή διαπερατότητα ορατού φωτός, καθιστώντας την ένα καλό υλικό μπροστινού διαφανούς στρώματος. Ταυτόχρονα, το AZO έχει επίσης τα χαρακτηριστικά της υψηλής σταθερότητας στο πλάσμα, της τεχνολογίας εύκολης παρασκευής και των μη-τοξικών και αβλαβών πρώτων υλών, με αποτέλεσμα το AZO να χρησιμοποιείται ευρύτερα στον τομέα των ηλιακών κυψελών λεπτής μεμβράνης.

Στόχοι επισκέψεων με οξείδιο του ψευδαργύρου αλουμινίου Εικόνα:

Aluminum Zinc Oxide Sputtering Targets

AZO Sputtering Target

Η εταιρεία μας μπορεί να παρέχει στους πελάτες υψηλής-καθαρότητας, υψηλής-πυκνότητας και ομοιόμορφα οργανωμένους στόχους AZO, καθώς και δεσμευτική υπηρεσία στόχων AZO και backplanes.

Τύπος	Ονομασία προϊόντος	Τύπος	Καθαρότητα	Σημείο τήξης	Πυκνότητα (g/cc)	Διαθέσιμα σχήματα
Οξείδια	Οξείδιο του Αλουμινίου	Al2O3	4N	2045	4	Στόχος, Σωματίδιο
	Οξείδιο του βισμούθου (III).	Bi2O3	4N	820	8.9	Στόχος, Σωματίδιο
	Οξείδιο του χρωμίου (III).	Cr2O3	4N	2435	5.2	Στόχος, Σωματίδιο
	Οξείδιο του Ερβίου	Er2O3	4N	2378	8.64	Στόχος, Σωματίδιο
	Οξείδιο του αφνίου	HfO2	4N	2812	9.7	Στόχος, Σωματίδιο
	Οξείδιο κασσιτέρου ινδίου	ITO	4N	1565	7.6	Στόχος
	Οξείδιο του μαγνησίου	MgO	4N	2800	3.58	Στόχος, Σωματίδιο
	Πεντοξείδιο του νιοβίου	Nb2O5	4N	1530	4.47	Στόχος, Σωματίδιο
	Οξείδιο νεοδυμίου (III).	Nd2O3	4N	2272	7.2	Στόχος, Σωματίδιο
	Οξείδιο του Νικελίου	NiO	4N	1990	7.45	Στόχος, Σωματίδιο
	Οξείδιο του σκανδίου	Sc2O3	4N	2480	3.86	Στόχος, Σωματίδιο
	Οξείδιο του πυριτίου	SiO	4N	1702	2.13	Στόχος, Σωματίδιο
	Διοξείδιο του πυριτίου	SiO2	4N	1610	2.2	Στόχος, Σωματίδιο, Κρύσταλλος
	Οξείδιο του σαμαρίου (III).	Sm2O3	4N	2350	7.4	Στόχος, Σωματίδιο
	Πεντοξείδιο του τανταλίου	Ta2O5	4N	1800	8.7	Στόχος, Σωματίδιο
	Διοξείδιο τιτανίου	TiO2	4N	1800	4.29	Στόχος, Σωματίδιο
	Οξείδιο τιτανίου (V).	Ti3O5	4N	1750	4.57	Στόχος, Σωματίδιο
	Οξείδιο του βαναδίου (V).	V2O5	4N	690	3.36	Στόχος, Σωματίδιο
	Οξείδιο του υττρίου (III).	Y2O3	4N	2680	4.8	Στόχος, Σωματίδιο
	Οξείδιο του ψευδαργύρου	ZnO	4N	1975	5.6	Στόχος, Σωματίδιο
	Οξείδιο του ψευδαργύρου με πρόσμειξη αλουμινίου-	ΑΖΟ	4N	\	5.4	Στόχος
	Διοξείδιο του Ζιρκονίου	ZrO2	4N	2700	5.5	Στόχος, Σωματίδιο
Φθοριούχος	Φθοριούχο Βάριο	BaF2	4N	1280	4.8	Στόχος, Σωματίδιο
	Φθοριούχο Ασβέστιο	CaF2	4N	1360	3.13	Στόχος, Σωματίδιο
	Φθοριούχο δημήτριο	CeF3	4N	1418	6.16	Στόχος, Σωματίδιο
	Φθοριούχο Κάλιο	KF	4N	880	2.48	Στόχος, Σωματίδιο
	Φθόριο Λανθάνιο (III).	LaF3	4N	1490	6	Στόχος, Σωματίδιο
	Φθοριούχο Μαγνήσιο	MgF2	4N	1266	4.2	Στόχος, Σωματίδιο
	Φθοριούχο νάτριο	NaF	4N	988	2.79	Στόχος, Σωματίδιο
Οι υπολοιποι	Τιτανικό βάριο	BaTiO3	4N	1620	3.96	Στόχος, Σωματίδιο
	Τιτανικό στρόντιο	SrTiO3	4N	2080	5.12	Στόχος, Σωματίδιο
	Θειούχος ψευδάργυρος	ZnS	4N	1830	4.1	Στόχος, Σωματίδιο
	Νιτρίδιο πυριτίου	Si3N4	4N	εξάχνιση	3.44	Στόχος, Σωματίδιο
	Νιτρίδιο Τιτανίου	Κασσίτερος	4N	2950	5.43	Στόχος, Σωματίδιο
	Νιτρίδιο Αλουμινίου	AlN	4N	εξάχνιση	3.26	Στόχος, Σωματίδιο
	Νιτρίδιο βορίου	BN	4N	3000	2.25	Στόχος, Σωματίδιο
	Καρβίδιο πυριτίου	Ούτω	4N	2700	3.22	Στόχος

Δημοφιλείς Ετικέτες: Στόχοι sputtering οξειδίου ψευδαργύρου αλουμινίου, προμηθευτές, κατασκευαστές, εργοστάσιο, προσαρμοσμένο, χονδρική, τιμή, προσφορά, προς πώληση