Η επίστρωση εξάτμισης υπό κενό είναι η χρήση θέρμανσης αντίστασης ή βομβαρδισμού δέσμης ηλεκτρονίων και λέιζερ για τη θέρμανση του υλικού που πρόκειται να εξατμιστεί σε μια ορισμένη θερμοκρασία σε περιβάλλον με βαθμό κενού όχι μικρότερο από 10-2Pa, έτσι ώστε η ενέργεια θερμικής δόνησης του μόρια ή άτομα στο υλικό υπερβαίνουν την επιφάνεια Η ενέργεια δέσμευσης προκαλεί εξάτμιση ή εξάχνωση μεγάλου αριθμού μορίων ή ατόμων και απευθείας εναπόθεση στο υπόστρωμα για να σχηματιστεί ένα λεπτό φιλμ.
Η πιο συχνά χρησιμοποιούμενη μέθοδος για την επίστρωση εξάτμισης υπό κενό είναι η θέρμανση με αντίσταση, η οποία έχει τα πλεονεκτήματα της απλής δομής της πηγής θέρμανσης, του χαμηλού κόστους και της βολικής λειτουργίας. Το μειονέκτημα είναι ότι δεν είναι κατάλληλο για πυρίμαχα μέταλλα και ανθεκτικά σε υψηλές θερμοκρασίες διηλεκτρικά υλικά.
Η επίστρωση επιμετάλλωσης ιόντων χρησιμοποιεί την κίνηση υψηλής ταχύτητας των θετικών ιόντων που παράγονται από την εκκένωση αερίου για να βομβαρδίσει τον στόχο ως κάθοδο υπό τη δράση ενός ηλεκτρικού πεδίου, προκαλώντας τα άτομα ή τα μόρια του στόχου να διαφύγουν και να καθιζάνουν στην επιφάνεια του επιμεταλλωμένου τεμαχίου εργασίας για να σχηματιστεί η απαιτούμενη μεμβράνη. .
Η τεχνολογία εξάτμισης είναι διαφορετική από την τεχνολογία εξάτμισης υπό κενό. Το "Sputtering" αναφέρεται στο φαινόμενο κατά το οποίο φορτισμένα σωματίδια βομβαρδίζουν μια στερεή επιφάνεια (στόχο), προκαλώντας την εκτόξευση στερεών ατόμων ή μορίων από την επιφάνεια. Τα περισσότερα από τα εκτοξευόμενα σωματίδια βρίσκονται σε ατομική κατάσταση, που συχνά ονομάζονται άτομα διασκορπισμού. Τα σωματίδια εκτόξευσης που χρησιμοποιούνται για τον βομβαρδισμό του στόχου μπορεί να είναι ηλεκτρόνια, ιόντα ή ουδέτερα σωματίδια. Επειδή τα ιόντα επιταχύνονται εύκολα για να ληφθεί η απαιτούμενη κινητική ενέργεια κάτω από ένα ηλεκτρικό πεδίο, τα ιόντα χρησιμοποιούνται κυρίως ως σωματίδια βομβαρδισμού. Τα διασκορπισμένα ιόντα προέρχονται όλα από την εκκένωση αερίου.
Διαφορετικές τεχνολογίες εκτόξευσης χρησιμοποιούν διαφορετικές μεθόδους εκφόρτισης. Η εκτόξευση διόδων συνεχούς ρεύματος χρησιμοποιεί εκκένωση DC. Η τριπολική εκτόξευση χρησιμοποιεί εκκένωση που υποστηρίζεται από μια θερμή κάθοδο. Η εκτόξευση ραδιοσυχνοτήτων χρησιμοποιεί εκφόρτιση ραδιοσυχνοτήτων. Η διασκορπισμός μαγνητρονίου χρησιμοποιεί εκκένωση που ελέγχεται από ένα μαγνητικό πεδίο δακτυλίου.
Η επίστρωση με ψεκασμό έχει πολλά πλεονεκτήματα σε σχέση με την επίστρωση εξάτμισης υπό κενό. Για παράδειγμα, οποιαδήποτε ουσία μπορεί να διασκορπιστεί, ειδικά στοιχεία και ενώσεις με υψηλό σημείο τήξης και χαμηλή πίεση ατμών. Η πρόσφυση μεταξύ της διασκορπισμένης μεμβράνης και του υποστρώματος είναι καλή. η πυκνότητα του φιλμ είναι υψηλή. το πάχος του φιλμ μπορεί να ελεγχθεί και η επαναληψιμότητα είναι καλή, κλπ. Το μειονέκτημα είναι ότι ο εξοπλισμός είναι σχετικά πολύπλοκος και απαιτεί εξοπλισμό υψηλής τάσης.
Φυσικά, τα πλεονεκτήματα της μεθόδου επιμετάλλωσης ιόντων που συνδυάζει εξάτμιση και διασκορπισμό είναι ότι έχει εξαιρετικά ισχυρή πρόσφυση μεταξύ της μεμβράνης και του υποστρώματος, έχει υψηλό ρυθμό εναπόθεσης και μπορεί να παράγει φιλμ υψηλής απόδοσης για χρήση σε ηλεκτρονικές συσκευές. Βιομηχανία μεταλλουργικής επεξεργασίας και διακοσμητικών προμηθειών.
